thesis

Depot et caracterisation de films supraconducteurs bisrcacuo par co-evaporation et modulation des flux

Defense date:

Jan. 1, 1990

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Institution:

Paris 11

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Abstract FR:

La methode de co-evaporation dans des conditions d'ultravide s'avere la mieux adaptee au depot de couches tres minces. Elles est employee ici pour la fabrication d'oxydes supraconducteurs a haute temperature critique du type (bio)#2sr#2ca#n##1cu#no#2#(#n#+#1#) qui ont des specificites structurales comme par exemple leur caractere lamellaire et la versatilite de leurs structures. Les films minces de ces oxydes ont des applications en electronique et en instrumentation (interconnections, squid, composants hyperfrequence, circuits logiques. . . ). Apres une presentation des oxydes supraconducteurs (en particulier les composes a base de bismuth) et des differentes methodes de depot, le systeme de co-evaporation adapte a l'utilisation d'oxygene en ultravide et les techniques d'analyses sont decrits. Nous montrons l'efficacite d'une source a plasma d'oxygene que nous avons mise au point sur l'oxydation du cuivre. Nous mettons en evidence et nous etudions en detail les problemes d'incorporation du bismuth lors des depots. Nous discutons ensuite les proprietes des films supraconducteurs obtenus. L'utilisation d'oxygene dans le systeme ultravide, les perspectives ouvertes par les evaporations en flux simultanes et en flux modules sont egalement discutees