Abstract FR:

Cette etude porte sur la conception de structures a multicouches pour l'optique utilisant l'association heteroepitaxiale de semiconducteurs (ga,al)as et de fluorure (ca,sr)f#2 et leur elaboration par epitaxie par jets moleculaires. Les structures d'interet sont des reflecteurs de bragg et des filtres interferentiels. La premiere partie est consacree aux outils necessaires a la conception, la realisation et la caracterisation des structures visees. Le formalisme a la base du programme de calcul des spectres de reflectivite des multicouches, avec prise en compte du champ electrique applique, est tout d'abord presente; le systeme d'epitaxie par jets moleculaires, les conditions de croissance des structures, le banc de caracterisation optique et les processus technologiques developpes sont ensuite decrits. Dans une seconde partie sont developpes les resultats experimentaux. Il est demontre que des reflecteurs (ga,al)as(ca,sr)f#2 de bonnes performances optiques et de bonne tenue mecanique peuvent etre obtenus a condition d'utiliser une geometrie originale basee sur la generalisation de la geometrie standard des reflecteurs de bragg. Ces reflecteurs peuvent etre utilises dans des filtres interferentiels qui sont des dispositifs bien adaptes a la modulation par commande electrique. La conception de ces modulateurs est effectuee et, enfin, leur faisabilite discutee en termes de la sensibilite des caracteristiques optiques de ces dispositifs aux parametres de croissance