Abstract FR:

Reacteur permettant la croissance de couches epitaxiques dans le systeme (ga,in,as,p) par transport en phase vapeur et par la methode aux hydrures (ph::(3),ash::(3),h::(2),hcl,in,ga). Sa conception autorise la realisation d'heterostructures a interfaces abruptes en conservant une geometrie de reacteur monochambre. Analyse des conditions de croissance du ternaire gainas sur support inp (100). Mise en evidence de l'effet du non equilibre entre les especes as::(2) et as::(4) sur la presence d'un depot parasite en amont de l'echantillon et sur les caracteristiques du depot. Proposition d'un modele rendant compte de l'influence des cinetiques de reactions de surface sur la composition en gallium de gainas