Abstract FR:

L'annihilation des positons est ici utilisee pour detecter les lacunes dans deux semi-conducteurs ii-vi: cdte dope a l'indium, cdte(in), et cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te non dope, qui sont par ailleurs caracterises electriquement de maniere systematique par des mesures d'effet hall. Dans ces deux composes, des lacunes sont detectees a la temperature ordinaire. Le temps de vie de 3202 ps est attribue aux complexes lacune-impurete (v#c#din)# dans cdte(in), et le modele d'autocompensation selon lequel les donneurs indium compensent les complexes lacune-impurete est confirme. Le temps de vie de 3091 ps est attribue aux lacunes v#h#g#2# dans cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te recuit de type p, et la concentration de lacunes varie en fonction des conditions du recuit. Nous estimons le taux specifique de piegeage des positons, , a (8,40,8)10##7cm#3s##1. La variation du temps de vie des positons en fonction de la temperature est tres differente dans chacun de ces deux composes et donne acces a deux informations differentes. Dans cdte(in), la diminution du temps de vie moyen des positons a base temperature est attribuee a un piegeage par des ions negatifs. Dans cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te, le temps de vie des positons dans les lacunes est independant de la temperature. On peut en conclure ques les niveaux d'ionisation (v#h#g2#/v#h#g#) ou (v#h#g#/v#h#g#0) dans lacunes v#h#g, s'ils sont detectables, sont situes a moins de 10 mev au-dessus de la bande de valence