Abstract FR:

Les proprietes physiques exceptionnelles du diamant, que l'on sait synthetiser par depot chimique en phase vapeur (cvd), permettent d'envisager quantite d'applications industrielles dans bon nombre de technologies de pointe. Ces proprietes dependent fortement du degre d'ordre atomique local obtenu, degre d'ordre qui peut aujourd'hui etre etudie avec une excellente precision grace a la microscopie electronique a tres haute resolution (uhrem). Ce travail concerne ainsi l'etude de films minces de diamant deposes par cvd sur des substrats de silicium monocristallin. Ces films sont observes a 300kv et a 1250kv, avec des resolutions de 0,20 et 0,12nm. L'analyse des images <110> met en evidence une grande variete de defauts de croissance lies a un maclage coherent sur les plans 111 : joints de macle et poles de maclage, fautes d'empilement et nanomacles, dislocations parfaites ou dissociees. Elle revele egalement la presence de vastes regions dans lesquelles la structure cristalline est absolument parfaite. Ce travail permet d'elucider de nombreuses structures de cur, qui sont pour la plupart originales et dont certaines mettent clairement en evidence, au sein de configurations de defauts complexes, des unites structurales non encore identifiees. On en propose des modeles atomiques 3-d. Bon nombre d'entre eux confirment des modeles theoriques deja elabores pour expliquer le desordre local dans les materiaux cubique diamant, et en particulier la reconstruction des defauts de type <110>. Ces modeles sont par ailleurs compatibles avec des conclusions recentes auxquelles sont parvenus des chercheurs japonais, a savoir la presence d'electrons au cur de certains defauts.