Abstract FR:

Dans ce travail, nous etudions la croissance du siliciure de titane forme par recuit thermique rapide sous argon le plus souvent, de couches de titane sur des substrats de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe, en insistant sur la cinetique et l'influence de quelques impuretes, principalement l'oxygene. Nous faisons egalement la comparaison avec le recuit four de longue duree. Nous obtenons ainsi la cinetique reelle sur monocristallin et polycristallin dans le cas parabolique entre 590 et 750#oc. Nous comparons alors tous les resultats avec ceux de la litterature. Les techniques de caracterisation employees sont la methode des 4 pointes, le rbs, le sims et la spectrometrie auger