Abstract FR:

Divers types de detecteurs en silicium ont ete developpes pour la spectroscopie d'absorption x: des photodiodes sont utilisees comme moniteurs d'intensite et de position ; des detecteurs a champ de derive ont ete concus pour l'analyse de la fluorescence x en dispersion d'energie. La premiere partie du memoire rappelle le principe de la spectroscopie d'absorption x et les aspects experimentaux essentiels sont decrits. Les problemes specifiques aux divers modes de detection sont analyses, ainsi que leur incidence sur les caracteristiques des detecteurs. La deuxieme partie concerne les photodiodes utilisees en mode d'integration de courant. Diodes et electrometres doivent posseder d'excellentes caracteristiques en termes de linearite, gamme dynamique et rapport signal sur bruit. Les faisceaux de rayons x sont modules pour permettre une detection synchrone digitale. Ce dispositif donne de remarquables performances illustrees par des spectres experimentaux. Une photodiode a division de courant permet aussi de mesurer des deplacements de faisceau avec une precision micrometrique. La troisieme partie est consacree a de nouveaux types de detecteurs a champ de derive. Avec une faible capacite electrique de l'electrode de lecture pour une grande surface active, ces detecteurs possedent une tres bonne resolution en energie pour un tres fort taux de comptage. Un nouveau concept de detecteur multivoie a ete etudie et mis en uvre avec des preamplificateurs a tres bas bruit. Un cryostat a ete developpe pour le montage de 4 detecteurs totalisant 32 voies. Un autre projet plus ambitieux vise l'integration d'un transistor jfet directement dans le substrat du detecteur. La resolution en energie mesuree devient alors excellente, meme a temperature ambiante et avec de courtes constantes de filtrage. Les premiers spectres exafs ont ete enregistres avec ce type de detecteur