Abstract FR:

L'objectif de cette étude est la détermination du paramètre d'émission spontanée dans un amplificateur à onde quasi-progressive à semi-conducteur InGaAsP dont le maximum de gain est centré à 1,5 μm. Une méthode est proposée basée sur la mesure du bruit de battement entre un signal cohérent amplifié et l'émission spontanée dans la bande du signal