thesis

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Nantes

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Mise au point d'un reacteur pour la croissance de couches minces d'oxydes d'al a basse temperature. L'atmosphere de depot est un melange al(ch::(3))::(3)-co::(2). La cinetique de croissance depend fortement des parametres de la decharge electrique. Important effet de la temperature de depot. Proprietes physiques de ces couches