Abstract FR:

Par diffusion diffuse des rayons x, nous avons etudie l'interaction des ondes de densite de charge (odc) avec les impuretes dans des conducteurs quasi-unidimensionnels inorganiques dopes tel que k#0#. #3moo#3 et nbse#3 ou l'element de transition est substitue par une impurete isoelectronique (mo/w et nb/ta) ou non-isoelectronique (mo/v et nb/ti). La distribution des impuretes reste aleatoire dans la structure cristalline avec des concentrations allant de 1 a 5%. L'effet des impuretes non-isoelectroniques sur le supereseau d'odc est plus important que celui des impuretes isoelectroniques ; la coherence spatiale des odc est seulement unidimensionnelle avec une impurete par domaine de coherence pour les dopages non-isoelectroniques alors que la coherence est tridimensionnelle avec plusieurs impuretes par domaine de coherence pour les dopages isoelectroniques. L'accrochage local de l'odc par une impurete individuelle implique des effets d'asymetrie sur la diffusion diffuse. Le sens de l'asymetrie d'intensite des paires de reflexions satellites permet de determiner la valeur de la phase de l'onde sur l'impurete. Nous en deduisons que le mecanisme d'accrochage est d'origine electronique pour les deux types de dopage. Le profil des reflexions satellites est determine par des experiences de rayonnement synchroton pour les composes k#0#. #3mo#1#-#xv#xo#3 (x=2. 8%) et k#0#. #3mo#1#-#xw#xo#3 (x=2%). Le profil est relie a une distribution aleatoire de la taille des domaines de coherence. L'asymetrie du profil a 15k pour le compose k#0#. #3mo#1#-#xw#xo#3 ne devient asymetrique qu'au dessus de 100k grace a la presence des ecrantages coulombiens et a la perte de la correlation transverse des odc. L'accrochage s'attenue avec la temperature et est limite par la correlation transverse des odc