Abstract FR:

L'alliage si#1##xge#x offre des degres de liberte (concentration en ge, etat de contrainte) permettant d'optimiser les structures de bande en vue de l'elaboration de dispositifs micro- et opto electroniques. Dans le cadre de ce travail de these, une methode de fabrication de cet alliage differente des methodes de depot habituelles a ete etudiee. De fortes doses de germanium (10#1#7 at/cm#2) ont ete implantees dans un substrat de si cristallin ou une couche de si amorphe deposee sur sio#2. Le materiau a ete reorganise soit en phase liquide (traitement par laser a excimere pulse arf ou xecl) soit en phase solide (recuit thermique classique). Des analyses par faisceau d'ions combinees a des caracterisations optiques ont montre qu'en optimisant les conditions de preparation, il est possible d'obtenir des couches d'alliage polycristallines sur sio#2 ou monocristallines de bonne qualite contraintes sur substrat si (10%<x<17%). La redistribution du ge implante consecutive au traitement laser n'a pu etre qu'approximativement modelisee dans l'hypothese d'une diffusion classique en phase liquide