Abstract FR:

Les microlasers emettant a 1,55 m sont des lasers solides de faible volume (<1 mm#3) a base de verre : er, yb dont les miroirs de la cavite sont directement deposes sur le milieu a gain. En introduisant un modulateur dans la cavite, il est possible de declencher le laser afin d'obtenir des impulsions de puissance crete elevee donc exploitables pour des applications telles que la telemetrie. L'objet de cette these est d'utiliser un dispositif a semiconducteur comme modulateur. De par leurs proprietes optiques et electriques, les semiconducteurs presentent un fort potentiel pour le declenchement passif et le declenchement actif. Les structures etudiees sont des couches epaisses et des structures a puits quantiques constituees d'in#xga#1##x##yal#yas epitaxiees sur un substrat d'inp. En declenchement passif dans une configuration microlaser, les meilleurs resultats ont ete obtenus avec une couche epaisse de 80 nm d'in#0#,#4#8ga#0#,#5#2as. Les energies et les puissances cretes par impulsion sont respectivement de 2 j et 2w avec un substrat d'inp semi-isolant et, 25 nj et 5w avec un substrat d'inp non dope. Ces differences dans les performances sont dues a des effets non-lineaires associes au substrat d'inp semi-isolant qui elargissent les impulsions. En declenchement actif, les premiers essais en cavite externe ont montre qu'il est possible de moduler l'emission laser en appliquant des creneaux de tension inferieurs a 20v pendant 1 s aux bornes d'une diode p. I. N dont la region intrinseque se compose de 10 puits quantiques d'in#0#,#5#3ga#0#,#4#7as dans des barrieres d'in#0#,#5#2al#0#,#4#8as. Afin d'optimiser l'effet du champ electrique, une structure mesa et une passivation ont ete realisees.