Abstract FR:

Dans ce memoire, nous proposons plusieurs approches pour aller vers l'obtention de couches diamant de qualite electronique. Celles-ci incluent la preparation de nouveaux substrats optimises pour la croissance diamant, que sont les siliciures de nickel nisi 2 et ni 3si, ainsi que le depot d'une couche tampon carbonee. L'idee directrice a ete d'etudier les processus de croissance diamant sur plusieurs systemes substrat / couche tampon avec pour finalite des depots controles de couches diamant a tres fortes densites de nucleation. Des substrats de siliciures de nickel nisi 2 et ni 3si ont ete prepares, a la fois sous une forme polycristalline et de couches minces orientees, par trois procedes : fusion sous argon, recuit sous vide et co-deposition en temperature. Pour augmenter les densites de nucleation du diamant sur ces substrats, deux approches ont ensuite ete abordees : - croissance diamant sur couches de carbone dlc deposees par ablation laser. - bombardement de la surface des substrats, prealablement au depot diamant, avec des faisceaux d'ions (c xh y +) de faible energie (< 100 ev).