thesis

Contribution à l'étude de la magnétorésistance géante planaire et perpendiculaire dans les multicouches et alliages granulaires magnétiques

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Jan. 1, 1995

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Nous presentons une etude des proprietes structurales, magnetiques et de transport electronique de multicouches co/cu et nife/ag ainsi que d'alliages granulaires (cofe)ag. La magnetoresistance geante de ces systemes constitue le theme principal de la these. Nous avons developpe une procedure experimentale permettant la preparation d'echantillons mesurables en geometrie perpendiculaire (cpp), dans laquelle les lignes de courant sont perpendiculaires aux interfaces entre couches. Comme attendu l'effet de magnetoresistance geante est renforce dans cette geometrie. Une modelisation semiclassique du transport planaire (type camley et barnas) permet de determiner les parametres microscopiques du transport electronique: libres parcours moyens et coefficients de transmission des interfaces pour les electrons des deux categories de spin. Cette modelisation a ete appliquee aux multicouches nife/ag et les valeurs des parametres seront precises/verifies par les mesures de transport perpendiculaire. Le systeme nife/ag fait l'objet d'une etude experimentale detaillee de la magnetoresistance geante planaire a temperature ambiante: influence des epaisseurs des differentes couches, du dopage des interfaces par du cobalt, ceci du fait de ses proprietes magnetoresistives particulierement attractives: fortes amplitude et sensibilite de la magnetoresistance. Nous avons egalement entrepris sur ce systeme des mesures de la variation angulaire de la magnetoresistance geante (geometries cip et cpp). D'un point de vue theorique, l'influence sur la magnetoresistance geante de la quantification du vecteur d'onde associe aux electrons de conduction ainsi que de l'existence de marches de potentiel aux interfaces dans les structures en couches a ete etudiee dans le formalisme quantique de kubo. Enfin l'etude du systeme granulaire (cofe)ag permet de mettre en relief l'importance capitale de la nanostructure ainsi que le caractere intermediaire entre geometrie cip et cpp que revet le transport electronique dans ce type d'echantillons