Abstract FR:

Dans le present memoire, nous avons aborde la croissance en couches minces de znsias#2 par e. P. V. Et e. P. V. O. M. , et ses proprietes optiques et electriques. Dans la premiere partie, apres un bref rappel bibliographique des travaux deja realises sur la croissance de znsias#2, nous avons presente le bati d'epitaxie que nous avons realise. L'etude de l'influence des conditions de croissance sur la morphologie et sur la qualite cristalline des couches, nous a permis de constater que la temperature de croissance doit etre superieure a 650c, pour eliminer la formation de zn#sas#2, et inferieure a 680c pour eviter la decomposition thermique de znsias#2. Parallelement, nous avons cherche a optimiser les parametres de croissance en etudiant, d'une facon systematique, la cinetique de croissance sur gaas et al#2o#3. Dans la deuxieme partie, nous avons determine l'indice de refraction, le coefficient d'absorption et le seuil d'absorption optique, a partir des spectres de reflection et de transmission. La reflectivite a 2k nous a permis d'observer six structures entre 2,2 et 3,6 ev. Les resultats des premieres caracterisations electriques (resistivite, effet hall) sont presentes. Le caractere p naturel de znsias#2 est confirme. Les concentrations comprises entre 10#1#8 et 10#1#9 cm##3n insensibles aux conditions de croissance suggerent la possibilite d'une interdiffusion de ha a partir du substrat de gaas dans la couche de znsias#2