Abstract FR:

L'objet de cette these est l'etude des proprietes electroniques des heterostructures si-sige. Cette etude a ete rendue possible grace aux progres recents des techniques de croissance cristalline dans ce systeme. Elle est interessante du point de vue fondamental car elle concerne des systemes electroniques de basse dimensionnalite, ainsi que du point de vue des applications des heterostructures semiconductrices a la filiere silicium. Tout d'abord, nous avons etudie les proprietes de magnetotransport des gaz bidimensionnels de trous dans les structures a modulation de dopage si-sige de type p. Nous nous sommes interesses en particulier a la modelisation de la densite de charges transferees dans le puits de sige en fonction des parametres de la structure, ainsi qu'au processus de limitation de la mobilite du gaz de trous a basse temperature. Nous avons ensuite etudie des reseaux de disques d'electrons de dimension micronique et submicronique, realises a partir de structures a modulation de dopage de type n de tres bonne qualite. Par des mesures de magneto-transmission aux hyperfrequences, nous avons determine le spectre d'excitations collectives de ces disques et mis en evidence l'effet de la taille finie du gaz d'electrons. Enfin, nous nous sommes interesses a l'absorption infrarouge des structures a multipuits quantiques si-sige de type p, en vue de la realisation de photodetecteurs. Nous avons analyse quantitativement les contributions dominantes que sont l'absorption par les porteurs libres et l'absorption intersousbande. Nous nous sommes interesses particulierement a l'effet, sur l'absorption intersousbande, des couplages entre les differentes bandes de valence de la structure. Nous avons montre qu'ils sont responsables d'un elargissement important du spectre d'absorption ainsi que de l'existence d'une absorption intersousbande en incidence normale.