Abstract FR:

Nous evaluons les potentialites de la technique simni pour la realisation de substrats soi. Pour cela, nous avons caracterise differents substrats simni en fonction des conditions d'implantation et de recuit. L'analyse sims des substrats simni a montre qu'une faible dose (5. 10#1#7n#+. Cm##2) n'est pas suffisante pour former une couche enterree de nitrure. A forte dose (2. 10#1#8n#+. Cm##2), la couche enterree de nitrure est comparable au nitrure stchiometrique du point de vue de la composition chimique. Les mesures j(v) effectuees sur les substrats simni nous ont permis de mettre en evidence l'existence d'un courant de fuite important a travers la couche enterree de nitrure et d'identifier le mecanisme de la conduction dans la couche isolante. Le film superficiel de silicium est caracterise a partir des mesures de resistivite et d'effet hall. Les resultats obtenus a partir de ces mesures montrent l'inversion du type du film de silicium due a une activation d'un bon nombre d'azote apres un recuit a haute temperature. Le film superficiel de silicium malgre son dopage eleve presente une qualite electrique comparable a celle du silicium massif. Ce travail constitue donc un ensemble de resultats de caracterisation permettant d'evaluer les proprietes physico-chimiques et electriques des substrats simni en fonction des conditions d'elaboration