Abstract FR:

Des couches semi-minces de silicium ont ete realisees sur differents types de substrats par depot chimique en phase vapeur a pression atmospherique dans un reacteur horizontal a parois froides (rt-cvd). Les films obtenus par decomposition de trichlorosilane dilue dans de fortes quantites d'hydrogenes, en presence ou non d'un gaz dopant tel que le trichlorure de bore, ont ete analysees par microscopie nomarski, retrodiffusion de particules chargees (rbs), microscopie electronique a balayage (sem) et en transmission (tem) et diffraction de rayons x. La cinetique de depot des films ainsi que les effets des differents parametres tels que la temperature, la concentration de gaz precurseur, le niveau de dopage et la nature du substrat sur la qualite cristalline et electrique des films deposes ont ete etudies. La croissance sur substrat de silicium a permis d'obtenir une epitaxie alors que la structure est polycristalline lorsque le depot s'effectue sur substrat silice, graphite et alumine. Des vitesses de depot relativement elevees, superieures au micron par minutes, ont ete obtenues sur tous les types de substrats utilises. L'orientation cristallographique preferentielle des couches deposees sur les substrats non-silicium a ete analysee pour differentes temperatures de depot. De plus, l'uniformite de l'epaisseur du film ainsi que la distribution de la temperature et des vitesses des gaz dans le reacteur ont ete simule