Abstract FR:

Nous avons etudie l'arrangement atomique et la structure electronique d'alliages a-sin#x:h et de poudres ceramiques composees de silicium, de carbone et/ou d'azote, en utilisant la spectroscopie d'emission et d'absorption x (sxs ou xes-xas) et la spectroscopie de photoelectrons induits par rayonnement x (xps). Ces deux techniques fournissent des informations tres complementaires. Ainsi, nous avons pu determiner, grace a l'xps des niveaux de cur, l'evolution de l'environnement chimique des elements presents dans les differents materiaux, en fonction de leur composition et des modes de preparation. La confrontation des resultats de l'xps de la bande de valence et de ceux de l'emission x nous a permis de preciser qu'elle etait la contribution des etats 3p du silicium a la bande de valence totale et d'etudier son evolution avec l'incorporation d'un(deux) autre(s) element(s): l'azote et/ou le carbone. Des resultats complementaires ont ete obtenus pour la distribution des etats vides si p dans le bas de la bande de conduction, par spectroscopie de photoabsorption x