Abstract FR:

Ce travail presente deux etudes de transport des systemes d'electrons bidimensionnels dans les limites du champ magnetique faible et fort. Premierement, nous avons analyse l'utilite d'une nouvelle approche theorique, destinee a calculer la mobilite limitee par (a) des impuretes ionisees ou par (b) des dislocations. Ce traitement a pour but d'ameliorer la description de l'effet d'ecran. Notre etude a revele que la methode ne represente que des avantages tres limites dans le cas (a), tandis que dans le cas (b) les courbes calculees en fonction de la temperature et de la largeur du puits sont en accord avec les mesures. Deuxiemement, l'effet hall quantique entier a ete etudie dans un potentiel de desordre modele. Le systeme a ete couple a un bain thermique. A partir de l'etat stationnaire d'une equation de boltzmann quantique, les conductivites de hall et dissipative ont ete obtenues en fonction de la temperature pour tous les facteurs de remplissage. Nos resultats sont en accord qualitatif avec les experiences. En outre, ils montrent que, du aux phonons, les plateaux quantifies de la conductivite de hall sont sensiblement plus larges a tres basses temperatures que ceux de la conductivite dissipative.