Abstract FR:

Resolution des equations differentielles de baldereschi et lipari par la methode des elements finis pour les niveaux accepteurs des semiconducteurs a structure diamant ou blende etudies dans l'approximation de la masse effective. Application au calcul des etats excites de l'accepteur (ns, np, nd) jusqu'a n=8. Mise en evidence de la necessite d'introduire l'effet du a l'impurete. Cas des composes znte: li, p, as, mg, cu; cdte: li, na, p, as, ag, cu; gaas: c, zn, si, ge. On en deduit la constante dielectrique statique et les parametres de luttinger