thesis
Analyse des transitoires de capacité et des courants de fuite dans les structures MOS
Institution:
Aix-Marseille 3Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Etude et analyse des transitoires de capacite de structures mos et des differentes composantes du courant de fuite afin de localiser les defauts initialement presents dans le substrat de silicium ou introduits au cours des differentes etapes d'elaboration d'un circuit integre