thesis

Contribution a l'etude des sources ebis et a l'interaction des ions produits par ces sources avec des cibles gazeuses

Defense date:

Jan. 1, 1991

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Institution:

Paris 7

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

La premiere partie de ce memoire est consacree a la conception de la source ebis (electron beam ion source) cebis ii de l'universite de cornell (usa). Dans le but de produire des ions metalliques, un systeme d'injection externe d'ions monocharges a ete realise. Ce dernier se compose d'une source annexe du type pig, d'une serie de lentilles et de deviateurs electrostatiques, d'un filtre a champ magnetique et electrique croises et d'un deviateur electrostatique a champ quadrupolaire. Les premiers tests ont montre que les ions monocharges sont bien introduits et ionises dans cebis ii. Cependant le deroulement de l'injection a ete fortement gene par la diffusion du gaz de la decharge de la source pig dans la ligne de faisceau et dans la source cebis ii. La deuxieme partie porte que l'etude experimentale du processus d'echange de charge a basse vitesse (v=0,4 u. A. ) entre des faisceaux d'ions ar17+ et des cibles gazeuses. Dans un premier temps nous avons observe a l'aide d'un detecteur sili les rayons x emis lors de l'interaction de ces faisceaux avec des cibles h puis h2. Le but de cette experience est de comparer directement le transfert de moments angulaires de la simple et de la double capture. Les spectres obtenus ont montre que pour les deux processus la capture a lieu dans des etats de grands moments angulaires. Ensuite, nous avons etudie, a l'aide d'un spectrographe a haute resolution (cristal ce111 courbe) les rayons x emis lors de la collision de ces memes faisceaux avec des cibles he, h, h2 et n. Les resultats obtenus ont montre que les processus de capture double non suivie d'autoionisation ont une probabilite importance