Abstract FR:

Les differents aspects du dopage de type n dans gaas et (al,ga)as elabores par epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organo-metalliques, ont ete abordes. L'impossibilite de doper fortement l'alliage (al,ga)as a ete mise en evidence. En dehors des problemes lies a l'incorporation des dopants lors de la croissance, cette limitation est liee a l'existence du niveau dx. L'effet de photoconductivite persistante (pcp) du centre dx a basse temperature a permis de mesurer le nombre total d'electrons presents dans les echantillons en se decouplant de la limitation liee au centre dx. Par ailleurs, l'etude de l'evolution de la pcp sous pression hydrostatique par des mesures de magnetotransport sur des echantillons dopes avec differents donneurs substitutionnels, met en evidence la presence de niveaux d'energie resonnants avec la bande de conduction. La nature et la position de ces niveaux dependent de la nature chimique du dopant. L'etat de charge du niveau de base du centre dx a ete determine par des mesures de capture thermostimulees et de photoionisation selective sous pression hydrostatique, sur des echantillons codopes si-sn. La photoionisation selective des niveaux dx(sn) et dx(si) permet de determiner avec precision le nombre d'electrons pieges sur chaque niveau. Nos resultats confirment le modele a u<o propose par chadi. La derniere partie de ce manuscrit est consacree a l'etude de l'alliage (ga,in)p qui est une alternative prometteuse a l'alliage (al,ga)as. Des mesures de photoluminescence sous pression hydrostatique sur un echantillon compose de plusieurs puits de gaas dans une matrice ga#0#. #5in#0#. #5p ont permis de determiner la valeur du decalage de bande de valence de l'heterojonction gaas/ga#0#. #5in#0#. #5p. Cette valeur (330mev) est en accord avec des calculs theoriques