Abstract FR:

Malgre le fort desaccord parametrique existant entre gaas et inas (7,2%), il est possible de realiser des couches pseudomorphes de l'un des materiaux sur l'autre, en se limitant a des couches d'epaisseurs inferieures a une dizaine d'a. Dans ces conditions,l'interface inas/gaas est plane et chimiquement abrupte, a la demi-couche pres. L'interface inverse est diffuse et rugueuse a l'echelle atomique. Au cours de la formulation de cette heterojonction, il y a segregation d'in en surface et formation d'un compose ternaire. Ce type de phenomene de segregation d'in se produit egalement dans les composes ternaires ingaas et peut etre a l'origine de leur rugosite superficielle. Etude comparative avec d'autres systemes iii-as