Abstract FR:

Etude de l'amelioration de cdte dans le cadre de la recherche de semiconducteurs de bonne qualite cristalline. Le premier parametre necessaire a cette amelioration et celui de la substitution de cd par zn (impurete isoelectronique et permet la reduction de la densite de dislocations d'un facteur 10. Proposition d'un modele de durcissement d'alliage pour expliquer ce phenomene. Le 2eme parametre concerne la recherche des conditions de croissance optimales