Abstract FR:

L'etude d'heterostructures ga#xin#1#-#xas/inp (0,3 < x < 0,5), elaborees en couches epaisses par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures, a permis de montrer que le processus de relaxation de la contrainte etait lent au sein de l'alliage ternaire. Des puits quantiques contraints ga#0#,#3#6in#0#,#6#4as/inp de 15 a 80 a ont ete realises en utilisant des phases d'attaque sous chlorures lors des periodes transitoires de changement de composition de la phase vapeur. L'analyse des resultats de caracterisation par spectroscopie de photoluminescence a permis d'apprecier la largeur des interfaces entre les deux materiaux inp et gainas. Nous avons modelise la cinetiue du depot gainas contraint en incluant un terme d'energie de deformation dans le potentiel chimique de formation de l'alliage. Une expression theorique de la vitesse de croissance du materiau ternaire a ete etablie par l'etude statistique des flux d'adsorption et de desorption des molecules de surface. Des films inp, presentant une densite de dislocations inferieure a 10#5 cm#-#2, ont ete elabores pour la premiere fois sur substrat silicium par une technique originale d'epitaxie selective en phase vapeur. Le principe de la technique de raffinage cristallin est de forcer la couche inp a croitre lateralement a partir de germes gaas entre une couche encapsulante de masques dielectriques et le substrat si. Cette nouvelle methode de croissance permet d'obtenir des couches iii-v pratiquement exemptes de defauts par blocage des dislocations. Des experiences de diffraction x et de spectroscopie de photoluminescence mettent en evidence la relaxation quasi totale du film inp a temperature ambiante. L'adhesion de la couche inp sur les surfaces relatives au silicium est supposee suffisamment faible pour autoriser le glissement du film le long des interfaces lors des variations de temperature de l'echantillon