Abstract FR:

Nous avons etudie l'influence de defauts de structure sur la structure electronique de certaines ceramiques. Nous avons effectue ce travail a la fois sur le plan experimental, par spectroscopie d'absorption x aux seuils et spectroscopie de photoelectrons, et sur le plan theorique, par des calculs de densite d'etats bases sur la methode des liaisons fortes. Notre etude a comporte trois aspects: 1) influence de la stchiometrie en oxygene sur la structure electronique de l'oxyde d'yttrium y#2o#3. Nous avons mis en evidence le dedoublement du seuil l2 de l'yttrium, attribue a la symetrie octaedrique du site, le dedoublement du seuil k de l'yttrium (effet de bande) et celui du seuil k de l'oxygene (hybridation des etats p de l'oxygene avec les etats p et d de l'yttrium dans la bande de conduction). L'importance des interactions o-o a ete soulignee pour l'etude de la bande de valence. L'introduction de lacunes d'oxygene rend la liaison y-o plus covalente, ce qui rend les echantillons plus conducteurs et augmente leur constante dielectrique optique; 2) effet d'une contrainte mecanique sur la structure electronique du quartz (sio#2). Nous avons mis en evidence experimentalement une modification de l'equilibre des pics de la bande de valence du quartz sous-contrainte. Nos calculs de densite d'etats ont permis d'attribuer cette modification a la variation de l'angle intertetraedrique si-o-si et de souligner l'importance des interactions si-si; 3) influence d'une irradiation par des ions de grande energie sur la structure electronique du quartz. Apres irradiation, le quartz est dans un etat cristallin desorganise different de l'etat amorphe. Nous avons interprete ces resultats en terme d'etat metamicte et de contraintes mecaniques internes