Abstract FR:

Etude de l'activite recombinante des defauts intragrains et d'impuretes. La diffusion d'impuretes metalliques comme le cuivre permet de diminuer la densite des centres recombinants par formation de complexes neutres avec les atomes d'oxygene et de silicium interstitiels. Un recuit de plaquettes de silicium recouvertes d'une couche d'aluminium augmente la longueur de diffusion des porteurs minoritaires, si la densite de dislocations est elevee