Abstract FR:

Les composes semiconducteurs cdse#x te#1##x et cuinse#2 ont ete prepares par electrodeposition directe, a partir de solutions sulfates acides. La composition des couches, leur structure cristalline, leur morphologie, leur largeur de bande interdite et leur photoreponse dans une cellule photoelectrochimique ont ete etudiees en fonction de la composition de l'electrolyte et du potentiel de depot. Il a ete montre que les films fins bien cristallises de cdse#xte#1##x ne peuvent etre obtenus que pour de faibles concentrations de h#2seo#3 dans le bain et dans une gamme etroite de potentiel correspondant au depot underpotential du cadmium. Le compose ternaire cuinse#2, avec la structure chalcopyrite a ete prepare a partir d'une solution contenant des ions citrate comme agent complexant. Il a ete montre que, dans tous les cas, la formation de couches lisses de composes definis cristallins necessite un processus lent de surface qui, de facon a etre entierement acheve, demande une forte inhibition de la surface par des ions adsorbes ou par des agents complexants