Abstract FR:

Afin d'etudier les relations entre les proprietes electroniques singulieres et les proprietes structurales des couches minces d'oxyde d'indium dope a l'etain, nous avons effectue des depots a differents dopages par pyrolyse de poudre sur substrats verre float et silice. Nous avons examine la morphologie des films par microscopie electronique en transmission ; en particulier, nous avons verifie que la phase cubique de l'oxyde d'indium est la seule presente dans les depots et que la taille des grains ne depend pas du dopage. Des ceramiques dopees a 10% et 20% d'etain nous ont permis une etude plus complete de la structure des joints de grain: comme pour les couches minces, nous n'observons pas de precipite a l'interface et la concentration d'etain demeure la meme au passage d'un joint. A partir de mesures electriques et optiques nous avons etabli que la bande de conduction du materiau peut etre decrite par le modele de kane. Cette conclusion est confirmee par la modelisation du pic principal des spectres de cathodoluminescence que nous avons acquis sur les echantillons. Nous proposons une description de la mobilite de hall fondee sur la diffusion des electrons sur les quatre especes: etain sous forme neutre, etain ionise, lacunes d'oxygene et atomes d'oxygene en site interstitiel