Etude de proprietes optiques de puits quantiques de semiconducteurs dans deux cas limites : puits quantiques peu profonds, microcavites de semiconducteurs
Institution:
Paris 6Disciplines:
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Abstract FR:
Dans un premier temps, nous avons etudie les proprietes optiques d'un ensemble de puits quantiques al#xga#1#-#xas/gaas, peu profonds (x = 0. 6 - 18 % d'al), par des mesures de photoluminescence, sous excitation continue et resolue en temps, en fonction du champ electrique et de la temperature. Les resultats experimentaux sont analyses a l'aide d'un calcul utilisant l'approximation des fonctions enveloppes. Nous avons montre que si l'effet du confinement 2d des porteurs reste important, ceux-ci sont tres rapidement balayes sous champ electrique. En particulier, nous avons evalue le temps de fuite par effet tunnel. D'autre part, l'augmentation de la temperature conduit a l'echappement des porteurs, avec d'autant plus de facilite que le puits est peu profond. Enfin, nous avons montre qu'en accord avec la diminution de la force d'oscillateur excitonique, le temps de recombinaison des porteurs, a basse temperature, est plus long que dans les puits conventionnels. Par ailleurs, les processus de relaxation sont ralentis. Dans un deuxieme temps, nous avons etudie une microcavite de semiconducteurs qui est un systeme dans lequel un confinement est realise a la fois pour les porteurs et pour les photons. Nous nous sommes interesses a une situation particuliere ou un etat discret du champ electromagnetique est couple avec un continuum d'etats des excitations electroniques. Nous avons montre que l'application d'un champ magnetique permet alors de passer continument d'une situation de couplage faible decrite par la regle d'or de fermi a une situation de couplage fort decrite par le dedoublement de rabi. Un calcul des magnetoexcitons, valable a tous les champ magnetiques, a ete developpe afin d'obtenir une comparaison pour les energies et les forces d'oscillateurs excitoniques.