Caracterisation des effets du desordre chimique dans les ceramiques et poudres yba#2cu#3o#7# ## #a#x (a = ci, f, h) par mesure de la permeabilite complexe
Institution:
Rennes, INSADisciplines:
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Abstract FR:
L'objectif de ce travail consiste a etudier, a partir des mesures de permeabilite magnetique alternative a faible champ de ceramiques et poudres yba#2cu#3o#7# ## # ( = 0 et 0,3) dopees en halogene ou a l'hydrogene, l'effet du desordre chimique sur les parametres caracteristiques de ces materiaux (t#s, t#c, h#1, h#c#1, #j, et #s). La dependance en fonction de la temperature du champ de premiere penetration du flux dans les ceramiques yba#2cu#3o#7# ## #a#x (a = ci, f, h) est decrite par la loi puissance pres de t#c: h#1(t, x, ) = h#1(0,x,)(1 t/t#c)# avec = 2,7 0,2. Le champ classique de premiere penetration en volume presente une dependance lineaire en temperature pres de t#s en accord avec le modele de ginzburg-landau : h#c#l(t) = h#c#l(0)(1 t/t#s). Contrairement au parametre extrapole h#c#1(0), h#1(0,x,) diminue fortement avec la concentration du dopant et devient inferieur a notre resolution experimentale ( 0,1 t) a partir d'un certain taux de dopant. En prenant la courbe experimentale de cava donnant la temperature critique de yba#2cu#3o#7# ## # en fonction de la concentration en oxygene 7 comme reference, nous avons trouve que les temperatures critiques t#s de nos ceramiques yba#2cu#3o#7# ## #a#x coincident avec la temperature de transition de yba#2cu#3o#7# ### #+# #c#x avec le pouvoir dopant c = 1/2, 1/2, 3/2 respectivement pour a = h, f, o, cl. La temperature t#s apparait donc comme la temperature critique d'un systeme homogene de composition moyenne. Un effet des dopants est l'introduction du desordre chimique (microscopique). Nous avons propose un mecanisme de creation de desordre a travers une interaction electrostatique effective repulsive entre les ions halogenes et les lacunes d'oxygene. Ce mecanisme conduit a la formation d'amas riches et pauvres en porteurs de charge de taille a donc a des temperatures critiques locales t#s($$r). Ceci nous ramene a un probleme de percolation de parametre p(t) = prob(t<t#s($$r)) similaire a celui rencontre dans les supraconducteurs granulaires conventionnels ou l'on considere le desordre mesoscopique dans les energies de couplage j($$r). D'ailleurs, les exposants critiques correspondant aux deux types de desordre sont les memes et dependent de ceux de percolation. La generalisation du modele de london au cas des supraconducteurs inhomogenes formes de domaines de taille a et de temperature critique t#s($$r), prenant en compte la structure fractale des amas de percolation, nous a permis de justifier la valeur de l'exposant critique = 2,7 pour le champ de barriere en surface h#s.