Abstract FR:

Les effets des rayons x sur les structures mos se materialisent par la creation de charges dans l'oxyde et de defauts d'interface. Ces degradations sont evaluees sur des transistors mos de technologie silicium sur isolant (soi/simox) et silicium massif, par les derives des parametres electriques a savoir la tension de seuil et le bruit basses frequences du canal en regime lineaire. A partir de ces variations, on en deduit des indicateurs de degradations: l'efficacite de piegeage et une constante associee au bruit en exces. Pour differentes gammes de doses cumulees, il a ete mis en evidence des correlations entre ces derives et la nature ainsi que les densites des defauts crees. L'evolution de ces grandeurs apres irradiation confirme la correlation entre les derives de la tension de seuil et l'augmentation du bruit du canal