Abstract FR:

Etude des proprietes d'interface de la face (100) de si: (1) proprietes atomiques (cristallographie de surface), (2) proprietes electroniques (etats de surface. . . ). La premiere partie concerne la surface "propre": etude de l'effet de la temperature de chauffage de la surface. La seconde partie concerne l'etude de l'adsorption de l'oxygene sur si(100). La derniere partie traite de l'adsorption metallique sur si(100): etude des systemes ga/si(100), ir/si(100) et sn/si(100)