Abstract FR:

L'objet de ce travail est la mise en place d'un modele numerique de simulation du fonctionnement des transistors en couches minces au silicium polycristallin, en regimes passant et bloquant. Le chapitre 1 est consacre a la presentation technologique de la structure du transistor d'etude, ainsi que ses caracteristiques physiques et electriques. Dans le chapitre 2, le modele physique est etabli. Il decrit les mecanismes de conduction susceptibles d'intervenir dans le fonctionnement du transistor. Il est fait distinction, dans le film polycristallin, entre les mecanismes intervenant a l'interieur des grains, a la surface des grains et aux joints de grains. Le mecanisme de conduction par effet tunnel, aux joints de grains, est retenu. Les effets induits par les contacts source et drain sont consideres. Le modele tient compte des mecanismes de saturation des vitesses de porteurs et des mecanismes de generation par ionisation par impact lies aux forts champs. Il est demontre que le phenomene de claquage, rencontre dans le silicium monocristallin, est annihile par les mecanismes de recombinaison, sur les liaisons pendantes. Dans le chapitre 3, l'utilisation de l'outil de simulation permet de verifier les hypotheses du modele physique. La comparaison des simulations avec des mesures experimentales montre la validite du modele et la necessite d'y adjoindre les mecanismes de conduction par effet tunnel interbandes, a la surface du drain. Le chapitre 4 montre que le modele numerique peut etre utilise pour predire le comportement de nouvelles structures