Abstract FR:

Afin d'evaluer l'origine des inhomogeneites des substrats de gaas semi-isolants non dopes, nous avons mis au point un systeme de spectroscopie et d'imagerie de photoluminescence (pl). Nous avons alors etabli des correlations entre les inhomogeneites chimiques et electriques (impuretes, defauts ponctuels et precipites) a l'origine des contrastes observes par pl, tomographie infra-rouge ou absorption infra-rouge a 1 micron, et la distribution des dislocations revelees par attaques chimiques selectives. La correlation des resultats fournis par toutes ces techniques, obtenus pour des materiaux de differentes stchiometries, non dopes et dopes indium, bruts de croissance et apres recuit haute temperature sous pression d'arsenic controlee (600-1000#oc, refroidissement lent ou trempe), nous a conduit a proposer un modele d'equilibre des defauts ponctuels dans les materiaux gaas l. E. C. (liquid encapsulated czochralski). Ce modele permet d'expliquer les inhomogeneites observees en fonction de l'ecart a la stchiometrie, en tenant compte des interactions entre les impuretes, les defauts ponctuels et les dislocations. Dans les materiaux riches en arsenic, l'exces d'arsenic precipite au cours de la croissance, localement et preferentiellement sur les dislocations. Ceci est a l'origine des correlations observees entre le contraste de luminescence du a une distribution inhomogene des defauts ponctuels non radiatifs associes a l'exces d'arsenic et la distribution des dislocations. Ces precipites sont remis en solution a haute temperature lors des recuits, ils liberent dans un premier temps des accepteurs (le materiau est type p apres trempe) et dans un second temps des complexes donneurs ou isoelectroniques stables (le materiau est semi-isolant avec type n apres trempe ou refroidissement lent). Ce scenario est en accord avec le contraste de pl, qui s'inverse apres recuit et diminue quand la duree du