Abstract FR:

Nos resultats experimentaux ont ete obtenus par spectroscopie de photoabsorption x ce qui a permis d'analyser les distributions electroniques inoccupees a caracteres de ga, as, ge et se dans les alliages amorphes gaas et ge#1##xse#x. Dans le semiconducteur gaas amorphe ou cristallise, nous avons montre que les etats de bord de bande de conduction sont des etats du gallium. Ces etats sont a caractere hybride sp. L'hybridation est moins forte dans a-gaas que dans le compose cristallise par suite d'une delocalisation des etats electroniques autour de ga dans l'amorphe. Nous avons montre que le desordre ne melange pas les etats de ga et as. Il y a donc persistance de l'ordre chimique dans le semiconducteur amorphe prepare p ar evaporation flash. Nous avons conclu que cet amorphe gaas doit pouvoir se decrire dans un modele de type connell-temkin plutot que dans un modele de type polk. Pour les alliages amorphes ge#1##xse#x, obtenus sous forme de couches minces, nous avons suggere que la coordinence doit etre 3:3 pour l'alliage stchiometrique gese et qu'elle pourrait etre 4:2 pour l'alliage a-ge#2se. Nous n'avons rien pu conclure de semblable dans le cas des alliages recuits du fait de la multiplicite des phases formees lors de la cristallisation dans ces couches minces