Abstract FR:

Deposition dans un bati d'epitaxie par jet moleculaire de rh::(2) as sur ga as. Rh::(2) as peut etre obtenu en couche mince, mais l'epitaxie n'est pas realisee selon les directions souhaitees et le compose n'est pas thermiquement stable jusqu'a 600c. Etude du diagramme ternaire rh-ga-asd afin de trouver un compose thermiquement stable. Le compose rh ga apparait stable jusqu'a 600c, il a donc ete depose sur ga as. L'accord de maille n'est cependant pas suffisamment bon pour permettre d'envisager une reepitaxie de bonne qualite du gaas sur rhga