Abstract FR:

Le developpement de dispositifs utilisant le silicium amorphe hydrogene comme materiau de base: diode schottky et pin pour les applications photovoltaiques, structures mis pour les applications aux ecrans plats, motive evidemment les etudes menees sur la comprehension des phenomenes de transports. En fait, le transport est domine par les etats localises a des energies comprises entre le bas de la bande de conduction et le haut de la bande de valence (bande interdite). L'experience de temps de vol, utilisee originellement pour etudier la mobilite de derive de porteurs crees en exces dans la couche de silicium amorphe hydrogene, permet en fait d'acceder a de nombreux parametres physiques du materiau. Nous avons ainsi developpe plusieurs techniques de mesures a partir de cette infrastructure experimentale pour obtenir une spectroscopie de la densite d'etats localises dans la bande interdite entre le bord de bande de conduction et le niveau de fermi d'obscurite. Ces techniques de mesures, nous ont permis d'obtenir les profils de champs electriques internes existant dans une diode schottky ou pin. Enfin, l'ensemble de ces mesures ont mis en evidence les problemes lies a la recombinaison et au piegeage des porteurs. C'est ainsi que nous avons etudie dans un cas concret les structures mis l'importance de la recombinaison sur les proprietes de transports