Abstract FR:

Les premiers travaux portant sur les effets des contraintes sur les proprietes des semi-conducteurs remontent a plus de 30 ans. Aujourd'hui, l'utilisation des contraintes comme parametres ajustables permettant la modification des proprietes electroniques des materiaux est largement acceptee. Cependant, l'application experimentale de ce phenomene rencontre bien des difficultes. En effet, les materiaux contraints se trouvent aussi predisposes aux defauts de dislocations de par la limite imposee par l'epaisseur critique. Dans ce travail, nous proposons l'utilisation de super-reseaux a contraintes alternees afin de contourner ce probleme. Depose sur du gaas (100), gap presente un desaccord de maille de -3,7% quant a inp, depose sous les memes conditions, il presente un desaccord de maille de +3,9%. Ces valeurs font du super-reseau gap/gaas/inp/gaas le parfait exemple permettant une meilleure comprehension des phenomenes mis en jeux. Nous etudions, dans un premier temps, les structures simples gap/gaas et inp/gaas en preparation a l'etude des structures plus complexes. Les resultats obtenus par diffraction des rayons-x et spectroscopie de photoluminescence montrent un parfait accord entre les niveaux des contraintes mesures et les energies du gap. Nous montrons qu'il est possible, par un choix des epaisseurs des couches de gap et inp, de deplacer la reponse optique de la structure sur une large region d'energie