Abstract FR:

Ce travail presente l'etude d'heterojonctions obtenues par pulverisation cathodique r. F. D'arseniure de gallium amorphe sur des substrats monocristallins de silicium et d'arseniure de gallium. Grace aux mesures i(v) a differentes temperatures, nous avons montre que le courant direct qui s'etablit dans les structures a-gaas/e-si est domine vers les basses tensions de polarisation par des effets tunnel via des etats localises dans la bande interdite de a-gaas a l'interface. Par contre le courant inverse semble etre un courant de generation. Les caracteristiques c(v) ont ete interpretees par le modele d'heterojonction abrupte d'anderson sans etats d'interface modifie en considerant que la capacite des films de a-gaas est independante de la polarisation. Nous avons ensuite propose des diagrammes de bandes d'energie de ces structures mettant en evidence l'existence de discontinuites au niveau des bandes de conduction et de valence. Nous avons par ailleurs, montre que l'adjonction de l'azote au gaz de pulverisation l'argon conduit a des films amorphes de a-gaasn plus resistifs, et que les structures a-gaasn/c-gaas issues de ces experiences presentent un comportement type capacite mis. L'analyse de ces structures a montre l'existence d'une charge positive fixe dans les films de a-gaasn dont la valeur augmente avec la pression d'azote. La repartition des etats d'interface determinee par la methode de terman est de 10#1#1 cm##2ev##1 au niveau du milieu du gap