Abstract FR:

Nous avons utilise la diffraction de photoelectrons dans le regime basse energie pour determiner des sites d'adsorption. En effet, a basse energie, on allie la sensibilite a la surface et l'isotropie du facteur de diffusion atomique, la retrodiffusion est donc possible et la diffraction de photoelectron a partir d'emetteur en surface permet d'atteindre les parametres d'arrangement atomique. De plus, il n'est pas necessaire d'etudier une surface ordonnee a longue distance, il suffit que les adsorbats se localisent sur des sites preferentiels. Nous avons plus particulierement applique cette methode a la determination du site d'adsorption de l'antimoine sur la surface d'argent en croissance est beaucoup moins rugueuse. Un chapitre introductif est consacre a la technique de diffraction de photoelectrons et aux principaux mecanismes microscopiques controlant la croissance cristalline. Il est suivi de deux chapitres, dont l'un decrit les equations de la diffraction de photoelectrons et l'autre les dispositifs experimentaux que nous avons utilises. Enfin, les resultats obtenus sont presentes en deux chapitres: - l'un concerne l'antimoine sur ag(111), pour lequel nous avons montre la formation d'un alliage de substitution en surface, de repartition homogene. Ceci conforme le role de l'antimoine qui augmenterait la barriere de diffusion sur les terrasses et les ilots de croissance conduisant a une reduction de la barriere de schwoebel. - l'autre concerne la determination de certains parametres de la structure cristalline de la surface gaas(100) stabilisee par l'antimoine. Cette etude permet de degager quelques elements pour aborder des systemes plus complexes sur gaas(001)(2x4).