thesis

Effet tunnel et magneto-tunnel dans les heterostructures a double barriere a base de semiconducteurs iii-v

Defense date:

Jan. 1, 1993

Edit

Institution:

Paris 6

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

Pas de résumé disponible.

Abstract FR:

Nous avons etudie l'effet tunnel dans les heterostructures a double barriere gaas-algaas et gaas/alas/gainas a injection bidimensionnelle. Pour cela nous avons realise des experiences de transport sous champ magnetique parallele et incline par rapport au courant tunnel. Sous champ magnetique parallele, on observe des oscillations de courant qui sont associees d'une part aux differents processus elastiques et inelastiques de diffusion et d'autre part a la modulation de charge dans la couche d'accumulation. Sous champ magnetique incline, on observe une separation du pic resonnant en plusieurs pics satellites dans les caracteristiques i(v). Pour l'interpretation des experiences nous avons developpe un modele d'effet tunnel coherent qui met en evidence de nouvelles regles de selection en presence d'un champ magnetique incline et qui explique les positions et les amplitudes des pics satellites observes. Nous avons aussi etudie l'effet tunnel 1d-0d et 0d-0d dans les nanostructures a double barriere presentant un confinement lateral. Nous avons determine le profil de bande de conduction, les niveaux electroniques, les transmissions et les caracteristiques i(v) de ces nanostructures. Les resultats obtenus sont compares aux resultats experimentaux rapportes dans la litterature