Abstract FR:

Dans le cadre d'une etude globale des conditions de croissance de couches minces d'oxydes supraconducteurs par pulverisation cathodique, des couches minces de bi#2sr#2cacu#2o#8 ont ete deposees. Le systeme de depot est un bati de pulverisation cathodique radio-frequence magnetron. Le porte-substrat est place en face de la cible. La cible de bi#2sr#2cacu#2o#8 est monophasee, stoechiometrique et obtenue par la methode de la fusion totale. L'influence des principaux parametres de depot sur le transfert des differentes especes ont pu etre mis en evidence. Des couches minces de bi#2sr#2cacu#2o#8 supraconductrices ont pu etre deposees in situ sur des substrats de mgo (100) et de laalo#3 (100). La temperature critique de ces films reste cependant faible (t#c = 43k). Parallelement, un systeme d'amincissement mecanique et ionique a pu etre mis en service. La technique dite des sections transverses etant plus particulierement dediee a l'observation de l'interface film/substrat au microscope electronique a transmission. Des couches minces de divers materiaux elaborees par d'autres procedes ont pu etre observees au met grace a cette technique. L'observation des couches de bi#2sr#2cacu#2o#8 au met et lors d'etudes exafs a permis de montrer le faible volume cristallise et la mauvaise oxygenation de ces couches. Une modification des parametres d'elaboration est envisagee