Abstract FR:

L'hydrogene dans les semi-conducteurs 3-5 fait actuellement l'objet d'etudes intensives. Nous nous sommes interesses au phosphure d'indium de type p et au phosphure d'indium dope au fer semi-isolant. Les echantillons utilises dans ce travail sont: des couches realisees par epitaxie en phase vapeur a partir des materiaux organometalliques et des echantillons massifs obtenus par la methode de czochralski sous encapsulant liquide. Structure et symetrie des complexes: nos resultats confirment que l'hydrogene se lie avec un atome de phosphore pour former une liaison phosphore-hydrogene en occupant un centre de liaison phosphore-accepteur selon une des diagonales du cube. Les resultats de l'effet d'une contrainte uniaxiale confirment la symetrie trigonale de ces complexes. Effet de la temperature: nous avons montre la possibilite d'analyser les effets de la temperature sur ces complexes par un modele de couplage faible selon lequel ces complexes se couplent avec des phonons transverse acoustique du reseau. L'observation des raies harmoniques de ces complexes nous a permis de calculer l'anharmonicite de ces complexes en utilisant deux potentiels: un potentiel de perturbation et un potentiel de morse. On a aussi mis en evidence par ces resultats la necessite d'ajouter une interaction entre l'hydrogene et l'accepteur. Nous avons mesure l'energie de reorientation des complexes phosphore-hydrogene; zinc et phosphore-deuterium; zinc. Nous avons etudie les effets du recuit sur les complexes phosphore-hydrogene; zinc et sur un complexe natif phosphore-hydrogene; indium et les effets de desaccord de maille entre la couche protectrice et les couches etudiees