Abstract FR:

Cette these concerne l'etude des proprietes electroniques et structurales aux interfaces d'heterostructures formees par depot epitaxial du semiconducteur lamellaire gase ou inse sur un substrat si(111)11-h. L'interface est atteinte par desorption thermique progressive sous ultravide des couches de lamellaire deposees. Les techniques employees sont la photoemission angulaire dans l'ultraviolet utilisant le rayonnement synchrotron et la diffraction d'electrons lents. L'etude des couches epitaxiees de gase et d'inse, de 5 a 30 nm d'epaisseur, avant leur desorption thermique, montre que celles-ci ont des proprietes electroniques essentiellement similaires a celles des materiaux massifs. La structure de bande experimentale des couches minces d'inse est trouvee semblable a celle calculee pour le polytype gamma du materiau massif. L'etude des heterostructures gase/si(111) et inse/si(111) au cours de leur erosion thermique montre que le traitement thermique provoque une rugosification importante de la surface. Pour le systeme gase/si(111), la decomposition des spectres de niveaux de coeur ga-3d et se-3d montre que : (i) a l'interface un transfert de charge se produit des liaisons ga-se du demi-feuillet contraint lie au substrat vers les atomes de si ; (ii) la contribution de feuillets gase contraints de meme parametre de maille que si, apparaissant avant que l'interface ne soit atteinte, fait intervenir un transfert de charge des atomes de ga vers les atomes de se. Pour le systeme inse/si(111), nous avons trouve que les liaisons in-in et in-se des feuillets inse contraints au parametre de maille de si, et les liaisons in-se a l'interface sont construites a partir d'etats plus profonds que dans le compose lamellaire inse. Lorsque le traitement thermique induit a l'interface une reconstruction si(111)55 specifique d'inse, les spectres de niveaux de coeur in-4d et se-3d montrent que les atomes d'in et de se ont plusieurs environnements chimiques.