Transistor à effet de champ en GaInAs : apport des hétérojonctions AlGaInAs-GaInAs dans les caractéristiques de fonctionnement
Institution:
Paris 11Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
GainAs Field Effect Transistors: improvements of the transistor behaviour with AIGalnAs/GalnAs heterojunctions. This work includes two parts:-a study of the electron transport properties in the FET channel: for that purpose, an original differential Hall method has been developed. This study led to the incorporation of AIGalnAs buffer layers in order to avoid the proximity of the semi-insulating inP substrate. - the fabrication of field effect transistors using a metal semiconductor gate contact. Ln order to obtain very low gate leakage currents, a thin AllnAs barrier layer has been added in between the gate metal and the GainAs channel layer. High transconductances - 200 mS/mm for 1 micron gate length - have been measured. Moreover, MAG cutoff frequency above 35 Ghz were obtained.
Abstract FR:
Ce travail s'articule suivant deux axes : - l'étude des propriétés de transport des électrons dans le canal du transistor, pour laquelle a été développée une méthode originale de mesure d'effet hall différentiel sur biseau. Cette étude a conduit a l'emploi de couches tampons en algainas pour séparer le canal du substrat inp semi-isolant. - la réalisation de transistors à effet de champ utilisant un contact de grille métal semi-conducteur. L'obtention de très faibles courants de fuite nécessite l'emploi d'une barrière en alinas entre la grille métallique et le canal en gainas. Les transistors a transconductance élevée (200 ms/mm pour une longueur de grille de 1 mu m) présentent des fréquences de coupures élevées (206 hz)