Abstract FR:

Ce procede de synthese utilise pour la premiere fois fait intervenir simultanement des processus competitifs de depot tels que la pulverisation cathodique de ga et la decomposition de l'arsenic dans une decharge luminescente. La caracterisation optique et electrique du plasma a permis de maitriser la zone transitoire et la composition des depots. La nature amorphe des materiaux synthetises et leur structure ont ete mises en evidence par microdiffraction electronique et diffusion raman. Mise en evidence de l'homogeneite par spectrometrie sims. Pour des depots realises a temperature ambiante, la conductivite et la bande interdite optique varient avec la composition des films. Les films obtenus a des temperatures de support plus elevees ont des comportements optiques et electriques differents