Abstract FR:

Le travail effectue dans cette these se situe dans la continuite d'une etude portant sur la comprehension des phenomenes physiques mis en jeu lors de l'interaction ion-surface. Une application directe de cette etude consiste a chercher a ameliorer les qualites electriques et cristallines de couches minces deposees par pulverisation ionique. Le travail qui fait l'objet de ce memoire, porte sur les distributions energetiques resolues angulairement des particules rapides emises par la cible pulverisee. Un dispositif experimental original permettant l'acquisition de ces distributions a ete realise et mis au point. Il est base sur une selection energetique des particules (0-20 kev) par un champ retardateur, la selection angulaire etant assuree par la mobilite du systeme d'acquisition (de 5 a +90) dans le plan d'incidence. Dans le cas de particules neutres, l'ionisation laser resonnante multiphotonique est utilisee au prealable. Un etat de l'art des resultats obtenus sur ces distributions, est presente. L'etude menee sur les ions secondaires montre, dans le cas ou des ions xenon de 10 kev bombardent une cible de silicium a 45, l'existence de deux populations ioniques; l'une est en accord avec la litterature (8 ev), l'autre est attribuee a des ions rapides (220 ev). La faisabilite de l'etude mettant en uvre l'ionisation multiphotonique des atomes de gaz rare, a ete mise en evidence